Sinton BLS-1 少子寿命测量仪

Sinton BLS-1 少子寿命测量仪 是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备,具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命,并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值,可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量,并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。
Manufacturer: sinton instruments
SKU: BLS-1
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项目 内容
测量参数 少子寿命、电阻率、陷阱密度
可测量的少子寿命范围 0.1us-10ms
可测量的电阻率范围 0.5-300ohm.cm
分析模式

准稳态方法少子寿命分析

瞬态方法少子寿命分析

一般方法少子寿命分析

可施加的用于修正陷阱的偏执光范围 0-50suns
可以测量的样品的表面类型

表面为平的硅块样品(BCT-400)

表面不平整的硅块样品(BLS-I)

不平整弧度的直径可达150mm

光源光谱 白光和红外光
感应器的面积 45cm*45cm
可测量深度 3mm
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Sinton BLS-1 少子寿命测量仪
5
Sinton BLS-1 少子寿命测量仪
John | 10/17/2025 10:51 AM
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