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TOPCON
TOPCON电池片研发解决方案
TOPCon 是 Tunnel Oxide Passivated Contact 的缩写，中文全称为 隧穿氧化层钝化接触。它是一种先进的高效太阳能电池技术，近年来在光伏（Photovoltaics, PV）行业中迅速崛起，被视为 PERC（Passivated Emitter and Rear Cell）电池之后的下一代主流技术之一。
一、TOPCon 技术原理
TOPCon 电池的核心在于其背面结构：
-
超薄隧穿氧化层（Ultra-thin Tunnel Oxide Layer）：
- 在硅片背面生长一层极薄（约1-2纳米）的二氧化硅（SiO₂）层。
- 这层薄膜允许少数载流子（电子）通过“量子隧穿效应”导出，同时阻挡多数载流子，减少复合。
-
掺杂多晶硅层（Doped Polysilicon Layer）：
- 在隧穿氧化层之上沉积一层重掺杂的非晶硅或微晶硅（通常为n⁺型）。
- 这层提供良好的电导性，作为电流的收集通道。
-
钝化效果：
- 隧穿氧化层和掺杂多晶硅层共同作用，对硅片背面表面进行优异的化学钝化和场钝化，显著降低载流子在背面的复合损失。
二、TOPCon 电池的主要优势
| 优势 | 说明 |
|---|---|
| 高转换效率 | 实验室效率已突破 26%，量产平均效率可达 24.5% - 25.5%，远高于传统 PERC 电池（~23%）。 |
| 低衰减 | 具有更低的光致衰减（LID）和老化衰减，长期发电量更稳定。 |
| 高双面率 | 双面发电能力更强（双面率可达 80-85%），在反光地面环境下增益明显。 |
| 温度系数好 | 在高温环境下功率输出下降较少，适合炎热地区使用。 |
| 兼容现有产线 | 可在 PERC 产线基础上升级改造（主要增加 LPCVD/PECVD 和扩散设备），投资成本相对可控。 |
三、与 PERC 和 HJT 的对比
| 特性 | TOPCon | PERC | HJT (异质结) |
|---|---|---|---|
| 量产效率 | 24.5% - 25.5% | 22.5% - 23.5% | 25.0% - 26.0% |
| 制造成本 | 中等（较PERC略高） | 低 | 高（需低温工艺、新材料） |
| 工艺复杂度 | 中等 | 低 | 高 |
| 双面率 | 80-85% | 70-75% | 90-95% |
| 技术成熟度 | 快速普及中 | 成熟 | 逐步提升 |
| 产线兼容性 | 高（可升级） | 原生 | 低（需全新产线） |
四、应用与发展趋势
- 主流厂商布局：隆基绿能、晶科能源、天合光能、通威股份等头部企业均已大规模投产 TOPCon 电池。
- 市场占比：自2023年起，TOPCon 的市场份额快速增长，已成为新建产能的主流选择。
- 未来方向：
- TBC（Tunneling Junction Back Contact）：结合 TOPCon 和背接触（IBC）技术。
- HBC（HJT + Back Contact）：异质结与背接触结合。
- 钙钛矿-TOPCon 叠层电池：理论效率可超过 30%，是下一代超高效率电池的研发热点。
五、总结
TOPCon 技术凭借其高效率、低衰减、良好的成本效益和产线兼容性，正在引领光伏行业从 PERC 时代迈向N型高效电池时代
WAFER PROFILER CVP21
The Wafer Profiler CVP21 is a handy tool to measure doping profiles in semiconductor layers by Electrochemical Capacitance Voltage Profiling (ECV-Profiling, CV-Profiling) in semiconductor research or production.
This ECV Profiler (CV-Profiler, C-V-Profiler) furthermore is a very good choice to analyze or develop strategies for Photo-Electrochemical Wet Etching (PEC-Etching) of semiconductors
Call for pricing
PIDcon bifacial 台式潜在诱导退化测试仪
特性
根据IEC 62804-TS标准方法
易于使用的台式设备
能够测量c-Si太阳能电池和微型模块
无需气候室
不需要电池层压
测量速度：小时到天
可测量参数：分流电阻、功率损耗、电导率、泄漏电流、湿度和温度
太阳能电池可以通过EL等进行研究
基于IP的系统允许在世界任何地方进行远程操作和技术支持
0.000 (CNY)
光致发光检测仪-LIS-R3 Name & model: Luminescence Imaging System – model LIS-R3
LIS-R3
光伏实验室的“高级标配”
LIS-R3是一台全新升级的高级实验室设备，适用于硅块、硅棒、硅片、太阳能电池和小组件。根据多年发展以及不断改进，很多领先的研究机构以及硅片、电池、组件生产商正在使用该设备。主要应用包括工艺改进、实验室研发、工艺调试和根源问题分析、质量保证与质量控制，及安装过程和设备终验收过程的提速。LIS-R3 应用了BT imaging专利的光致发光技术和Rs成像、电致发光成像、偏压PL成像、QSS-PC注入水平决定的少子寿命曲线、校准少子寿命成像、深度的图像处理算法自动得出的硅片和硅碇缺陷参数、Suns-Voc曲线、暗场及光场IV测试，加上LIS-R系列软件更新包的一系列新的分析方法。
LIS-R2-Plus
光伏实验室和质量控制方面的全能型研发设备
LIS-R2-Plus得益于BT Imaging的大量开发工作，降低了原有LIS-R2实验室设备的成本。现在我们通过降低新的LIS-R2设备售价的方式，将福利回馈给客户。全新的LIS-R2-Plus是领先的综合性PL实验室测量设备，可测硅块、硅片和电池。它也适用于电池生产线中的抽样检查，帮助实现快速的每条工艺产线上的反馈和调试。由BT Imaging大量专利支持。
iLS-W3
产线硅片检测
iLS-W3是拥有全新设计的软硬件的终极硅片电学质量检测模块，是用于硅片和电池产线的检测系统。该设备融合了BT Imaging的专利PL成像技术，测片速度高达5400片每小时。有众多光致发光专利和市场领先的算法的在线PL检测机台。典型使用案例包括硅片拒收、通过电池效率预测进行硅片质量分选、硅片和电池R&D，及产线工艺改进以及调试。
iLS-C3
产线电池缺陷检测
iLS-C3是针对产线电池最新推出的连续性PL成像检测模块，是比EL成像检测更快且不接触检测样品的方式。利用自动成像算法，iLS-C3可以在生产过程中找到一片电池的所有缺陷并选择拒收。该模块的配置可以针对过程片PL检测。
LIS-B3
产线硅块与晶棒检测
LIS-B3是BT Imaging的最新硅块和晶棒产线的检测设备，通过报告此类样品的体寿命来确保后续生产的硅片可作为高效电池的材料。该设备质量控制和工艺改进的帮手。LIS-B3的设计是与领先的硅块和硅碇生产商缜密磋商的结果。硅块和硅碇由人工或者机械装载。测量速率能够满足100%产品检测。
它可以轻松适配多数电池设计和分选设备
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