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WEP
德国WEP公司的CVP21电化学C-V剖面浓度测试仪可高效、准确的测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布。选用合适的电解液与材料接触、腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制。
电化学ECV剖面浓度测试仪主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。CVP21电化学C-V剖面浓度测量仪适用于评估和控制在半导体生产中的外延过程并且以被使用在多种不同的材料上，例如：硅、锗、III-V族化合物半导体(如GaN)。
WAFER PROFILER CVP21
The Wafer Profiler CVP21 is a handy tool to measure doping profiles in semiconductor layers by Electrochemical Capacitance Voltage Profiling (ECV-Profiling, CV-Profiling) in semiconductor research or production.
This ECV Profiler (CV-Profiler, C-V-Profiler) furthermore is a very good choice to analyze or develop strategies for Photo-Electrochemical Wet Etching (PEC-Etching) of semiconductors
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