半导体退火炉 高校科研炉 高真空退火炉

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一、设备结构:
1、操作方式:左(右)手操作方式
2、硅片尺寸:圆形6寸片
3、工艺布局:满足客户工艺要求

4、外形:主机1台,主机架为卧式两管。

5、自动化程度:工控机控制系统自动控制工艺流程
6、送取片方式:手动进出舟。

二、主要技术参数:
1、加热炉管有效口径:满足6英寸硅片。可向下兼容5寸和4寸硅片。
2、工作温度范围:上管:600~1400℃
           下管:200~500℃
3、恒温区长度及精度:600mm,
                  上管:800-1400℃.±0.2℃/24h
                  下管:200-500℃.±0.2℃/24h
4、控制方式:由工控机统一管理工艺
5、气路设置:每管两路气体:氮气100L/min.氩气100L/min。均采用MFC自动控制流量大小。

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