■ PID效应（potential Induced Degradation）全称电势诱导衰减，PID测试标准引自于IEC62804-1：System Voltage durability test for crystalline silicon modules，测试要求是将组件置于一定的温度、湿度环境，将组件内部导电体与高压电源的一个级连接在一起，组件外导电体与高压电源的另一个极连接。
性能参数Performance parameter
| 输入电源 |
AC 220V±10%50HZ |
| 输出电压 |
DC -2500V to +2500V (连续可调) |
| 电压分辨率 |
1V |
| 电压精度 |
1000V 1500V 2000V 连续输出500小时内电压波动≤2% |
| 最大额定电流 |
250微安/通道 |
| 电流精度 |
2微安+1%量程 |
| 漏电流分辨率 |
0.01uA |
| 保护装置 |
过流、过压、过温、短路保护 |
| 冷却 |
风扇强制冷却 |
