该设备用于半导体芯片生产工艺过程中，在可控磁场中实现真空退火、真空合金、真空晶化等工艺。该系统具有精确的磁场强度和温度控制系统和高真空系统。
主要技术参数：
◆结构型式：卧式热壁型
◆工作温度范围：500度，700度，1100度。
◆恒温区长度及精度：±0.5℃/800mm
◆气体流量设定精度:±1％F.S
◆气路系统气密性： 1×10-7pa.m3/s
◆工艺均匀性:≤±5％
◆控制方式： 工业微机控制
◆真空度： 5*10-4 Pa
◆记录工艺曲线数量及工艺步数不受限制
