激光参数测量

德国WEP公司的CVP21电化学C-V剖面浓度测试仪可高效、准确的测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布。选用合适的电解液与材料接触、腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制。 电化学ECV剖面浓度测试仪主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。CVP21电化学C-V剖面浓度测量仪适用于评估和控制在半导体生产中的外延过程并且以被使用在多种不同的材料上，例如：硅、锗、III-V族化合物半导体(如GaN)。

特性 根据IEC 62804-TS标准方法 易于使用的台式设备 能够测量c-Si太阳能电池和微型模块 无需气候室 不需要电池层压 测量速度：小时到天 可测量参数：分流电阻、功率损耗、电导率、泄漏电流、湿度和温度 太阳能电池可以通过EL等进行研究 基于IP的系统允许在世界任何地方进行远程操作和技术支持

太阳能电池设施产量提升和性能改进的“黄金标准”工具 LIS-R3 是一款用于硅锭、晶圆、电池和微型模块样品的先进表征工具。针对TOPCon、PERC、HJT等电池工艺，是多年研发、不断改进的结果。最近的升级包括与 24 个母线样本的兼容性、新的 SMU 和 BC 电池测量。它是主要太阳能生产商和世界领先研究机构使用的重要工具。主要应用包括流程改进、研发、流程调试和根本原因分析、质量保证和质量控制。 LIS-R3 提供 BT Imaging 专有的光致发光技术以及串联电阻成像、电致发光成像、Suns-Voc、暗和光 IV 测量、带有隐含 IV 参数的高级cell分析、cell前部和整体分离估计、QSS-PC 注入水平相关寿命、校准寿命成像等等。

FPM快速光电流扫描显微系统适用于有机,钙钛矿材料， 可轻松进行光电流与晶粒分布测量。