商品标签为：'少子寿命测试仪'

用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。特征直拉硅单晶硅锭中的滑移线寿命范围20ns至100ms（样品电阻率>0.3Ohmcm）SEMI标准PV9-1110

低成本桌面单点测量硅片或晶砖，用于在不同制备阶段表征各种不同的硅样品，无需内置自动化。可选手动操作的z轴厚度高达156毫米的硅砖样品，高达156毫米硅砖，结果可视化的标准软件。

Sinton离线晶片少子寿命测试仪 WCT-120 WCT仪器展示Sinton独特的测量和分析技术，包括半标准准稳态光电导系数（QSSPC)测量方法，该方法由Sinton公司在1994年研发。 载流子合复寿命经过准确校准的测量方式，广泛应用于太阳能单晶和多晶硅片。

Sinton BCT-400 少子寿命测量仪 是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备，具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命，并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值，可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量，并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。

Sinton BLS-1 少子寿命测量仪 是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备，具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命，并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值，可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量，并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。