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少子寿命测试仪
少子寿命测试仪(Minority Carrier Lifetime Tester)是一种用于测量半导体材料(尤其是硅材料)中少数载流子寿命(Minority Carrier Lifetime)的关键设备。它是半导体、光伏(太阳能电池)和微电子行业中进行材料质量评估、工艺监控和产品研发的重要工具。
一、基本原理
在半导体中:
- 多数载流子:在P型硅中是空穴,在N型硅中是电子。
- 少数载流子:在P型硅中是电子,在N型硅中是空穴。
少子寿命是指少数载流子从产生到复合(消失)的平均时间。它直接反映了半导体材料的晶体质量和电学性能:
- 寿命越长 → 材料纯度高、缺陷少 → 光电转换效率高(对太阳能电池尤其重要)。
- 寿命越短 → 材料中杂质、缺陷多 → 器件性能差。
少子寿命测试仪通过特定方法(如光照或电脉冲)激发产生少数载流子,然后测量其衰减过程,从而计算出寿命值。
二、主要测试方法
| 方法 | 原理 | 特点 |
|---|---|---|
| 微波光电导衰减法 (µ-PCD) | 用激光脉冲照射样品产生载流子,通过微波反射变化测量电导率衰减,推算寿命。 | 非接触、快速、可 mapping(面扫描),适合产线。 |
| 表面光电压法 (SPV) | 测量光照后材料表面电势的变化。 | 适用于薄膜材料,非接触。 |
| 准稳态光电导法 (QSSPC) | 施加准稳态光照,测量光电导。 | 精度高,常用于实验室和高效电池研发。 |
| 光束诱导电流法 (LBIC) | 扫描激光束,测量产生的电流。 | 可进行高分辨率成像,用于缺陷定位。 |
三、主要应用领域
-
光伏产业(太阳能电池):
- 评估硅片质量(单晶硅、多晶硅)。
- 监控制绒、扩散、钝化等关键工艺对少子寿命的影响。
- 预测电池最终转换效率。
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半导体材料研究:
- 分析晶体生长质量。
- 评估掺杂、退火、氧化等工艺效果。
- 检测材料中的杂质和缺陷密度。
-
质量控制与来料检验:
- 工厂对采购的硅片进行快速抽检,确保材料达标。
BCT-400 少子寿命测试仪
Sinton BCT-400 少子寿命测量仪
是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备,具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命,并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值,可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量,并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。
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Sinton BLS-1 少子寿命测量仪
Sinton BLS-1 少子寿命测量仪
是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备,具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命,并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值,可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量,并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。
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Sinton离线晶片少子寿命测试仪 WCT-120
Sinton离线晶片少子寿命测试仪 WCT-120
WCT仪器展示Sinton独特的测量和分析技术,包括半标准准稳态光电导系数(QSSPC)测量方法,该方法由Sinton公司在1994年研发。
载流子合复寿命经过准确校准的测量方式,广泛应用于太阳能单晶和多晶硅片。
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MDPpro 850+硅锭、硅砖少子寿命测试仪
用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。特征直拉硅单晶硅锭中的滑移线寿命范围20ns至100ms(样品电阻率>0.3Ohmcm)SEMI标准PV9-1110
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MDPspot 单点少子寿命测试仪
低成本桌面单点测量硅片或晶砖,用于在不同制备阶段表征各种不同的硅样品,无需内置自动化。可选手动操作的z轴厚度高达156毫米的硅砖样品,高达156毫米硅砖,结果可视化的标准软件。
25.000 (CNY)